Металлокерамический объемный (3D) микроэлектронный модуль СОЗУ 24М
сопротивление изоляции между изолированными токопроводящими элементами корпуса при постоянном напряжении 100В, Ом | ≥ 1010 | |
сопротивление дорожек, Ом | ≤ 1,55 |
|
емкость проводников, пФ | ≤ 1,5 | |
внутреннее тепловое сопротивление, °С/Вт | 2,0 |
|
количество слоев коммутации | 4 |
вход сигнала адреса | 11-15, 36-40, 63-65, 85-89 | |
вход/выход данных | 3-9, 41-48, 51-58, 92-99 | |
вход сигналов разрешения выборки, /СЕ1, /СЕ2 | 90, 92 | |
вход сигнала разрешения выхода данных , /ОЕ1, /ОЕ2 | 61, 62 |
|
вход сигнала разрешения записи /WE | 10 | |
вход сигнала разрешения выборки младших разрядов данных, /ВLE | 59 |
|
вход сигнала разрешения выборки старших разрядов данных, /ВНE | 60 | |
общий | 49, 100 | |
питание | 1, 50 |
напряжение питания,UCC, В | 3,3 |
|
интервал рабочих температур | (-60 ÷ +85)ºС | |
ток потребления в режиме хранения, ТТЛ уровни на входах, ICCS1, мА | ≤ 90 | |
ток потребления в режиме хранения, КМОП уровни на входах, ICCS2, мА | ≤6,0 |
|
динамический ток потребления, IOCC, мА | ≤72 |
|
время выборки адреса, tAA, нс | ≤30 |
|
время выборки по сигналу /СЕ, tA(CE), нс | ≤30 | |
время выборки по сигналу /ОЕ, tA(ОE), нс | ≤15 | |
время выборки по сигналам /BLE и/BHE, tA(BLE), tA(BHE), нс | ≤15 |
тело модуля, мм | (36,0×34,2) ±0,2×8,4-0,7 |
монтажная площадка (плата), мм | (13,15×11,8) ±0,05 |
количество выводов | 64……100 |
шаг внешних выводов | 1,0 |
расстояние между внешними выводами, мм | (34,25×32,75) ±0,05 |
масса модуля, г | 25,0 |